Първите 3-нанометрови чипове отидоха за добив на криптовалути

Първите 3-нанометрови чипове отидоха за добив на криптовалути

Александър Главчев
180 прочитания

Samsung започна доставките първия в индустрията микрочип, произведен чрез 3-нанометрова технология, съобщи Sammobile.

Последните продукти на южнокорейския гигант са произведени с използване на най-новите полеви транзистори с пръстеновиден затвор (GAA, Gate-All-Around). В сравнение с настоящата технология FinFET (Field-Effect Transistor), транзистори с вертикален затвор, въвеждането на GAAFET позволява по-бързо превключване между състоянията и подобрява енергийната ефективност на крайния продукт.

Първият клиент на Samsung е китайската компания PanSemi, която е специализирана в оборудване за добив на криптовалути. Според Сиен Чой, президент на поделението за договорно производство (Samsung Foundry), новите 3нм чипсети демонстрират 23-45% по-добро съотношение на изчислителна мощност към енергийни разходи в сравнение с чипсети, произведени в съответствие с по-зрели процеси.

Според Sammobile, в бъдеще 3-нанометровата технология, усвоена от корпорацията, ще се използва в производството на високопроизводителни процесори за сървъри и центрове за данни, персонални компютри, както и системи на чип (SoC) за смартфони, таблети и преносими устройства.

Samsung започна да разработва технологията GAA преди около двадесет години и вече успешно я приложи за първи път в свои демонстрационни чипове през 2017 г. Въпреки това на компанията ѝ трябваха още няколко години, за да я доусъвършенства.

През януари стана ясно, компанията се е сблъскала с непредвидени проблеми с разработването на 3нм технология. Подробности за тяхното естество не бяха разкрити, но беше известно, че трудностите не са възникнали с развитието на самата GAA, а със съпътстващото "ключово тясно място" на технологията.

Вицепрезидентът на Samsung Foundry Чон Ки-Тхе по време церемония по изпращане на първата партида от чипове сподели, че компанията е успяла да разреши проблемите с участието на други поделения, както и глобални производствени и инфраструктурни партньори.

Samsung започна доставките първия в индустрията микрочип, произведен чрез 3-нанометрова технология, съобщи Sammobile.

Последните продукти на южнокорейския гигант са произведени с използване на най-новите полеви транзистори с пръстеновиден затвор (GAA, Gate-All-Around). В сравнение с настоящата технология FinFET (Field-Effect Transistor), транзистори с вертикален затвор, въвеждането на GAAFET позволява по-бързо превключване между състоянията и подобрява енергийната ефективност на крайния продукт.

С използването на сайта вие приемате, че използваме „бисквитки" за подобряване на преживяването, персонализиране на съдържанието и рекламите, и анализиране на трафика. Вижте нашата политика за бисквитките и декларацията за поверителност. ОК