Samsung първа стартира производство на 3-нанометрови чипове

Поделението за полупроводници на корейския технологичен производител Samsung - Samsung Foundry - стана първото в света, което започва да произвежда чипове чрез 3-нанометров процес.

Първоначално тези параметри се отнасяха до измерение на всеки отделен транзистор, но днес това е предимно маркетингов термин. Основният технологичен плюс обаче е, че основният компонент на чипа е с един порядък по-малък, а това дава отражение върху енергийната ефективност, производителността и общия размер на чипа.

"Оптимизираният 3nm процес постига 45% намаление на енергийното потребление, 23% подобрена производителност и 16% по-малка повърхност в сравнение с 5nm процес", пише в съобщението на Samsung. Досега 5nm беше най-модерният производствен процес, който само Samsung и тайванската TSMC предлагаха. Достигането до следващия важен етап, изглежда, е значителна победа за Samsung в съперничеството му с фабриките на TSMC, въпреки че тайванците вероятно не изостават.

"Samsung се разрасна бързо и продължаваме да демонстрираме лидерство в прилагането на технологии от следващо поколение в производството, като например първия в индустрията High-K метален гейт, FinFET, както и EUV (от екстремна ултравиолетова литография), заяви д-р Сийонг Чой, президент и ръководител на Samsung Foundry в Samsung Electronics. Стремим се да продължим това лидерство с първия в света 3nm процес с MBCFET. Ще продължим да иновираме активно за развитие на конкурентни технологии и ще изградим процеси, които да ускоряват постигането на зрялост на технологиите."

Доскоро чиповете се произвеждаха с т.нар. DUV литография, при която се използва дължина на вълната от 193 nm. При EUV литографията използваната дължина на вълната е само 13,5 nm. Това позволява "изчертаване" на по-фини вериги и по този начин повече данни могат да се съхраняват на една и съща площ. Подобряването на схемата означава, че в един чип могат да се поберат повече логически портове. В резултат тези чипове стават по-мощни и енергийно по-ефективни. Повърхността на чипа се използва много по-ефективно, когато се използва EUV, обясняват от Samsung.

Същевременно MBCFET е съкращение от Multi Bridge Channel Field Effect Transistor (многомостов канален транзистор с полеви ефект, FET), като технологията използва по-дебели ребра за преноса на електрически ток под формата на нанолист. Една от основните цели на различните видове технологии FET е да се преодолеят физическите предизвикателства при опитите за насочване на електрическия ток в такива миниатюрни среди. Електроните имат навика да се "плъзгат" между силициевите атоми, освен ако не се използва изключителна хитрост, за да ги ограничите.

Това е важно в голямата схема на недостига на чипове, като се търсят жизнеспособни алтернативи на производители в тези времена на геополитическо напрежение и нарушени вериги за доставки. Може би големи клиенти като Apple и Qualcomm ще се стремят да диверсифицират още повече експозицията си в производствените предприятия. Следващият процес на "свиване" се нарича 2nm, като тази технология може би ще се появи след 2-3 години.